layout:版图
schematic:模拟设计电路图,电路,线路
GDS:版图绘制完成后,交给工厂的生产文件格式
LVS:layout versus schematic,版图和电路图一致性检查
DRC:design rule check,设计规则检查
ERC:电气规则检查
LVL:版图和版图对比检查,检查是否一致,哪些层有修改
Virtuoso:cadence的版图绘制软件
Calibre:Mentor公司的DRC、ERC检查EDA软件,也是行业标准
Laker:synopsys公司的版图绘制EDA软件
Latchup:闩锁效应,容易引起大电流
Power:电源
Gound:地
merge:gds的合并
pin:电路和模块的引线端口
block:电路模块
symbol:电路或模块的符号
APR:自动布局布线,数字版图的实现方式
Metal ECO:Poly及往下的层不动,只修改金属层的ECO
Poly:多晶硅,MOS管的栅极材料
AA:有源区,P型、N型离子注入的区域
P-substrate:P型衬底
wafer:晶圆,制作芯片的基础材料,由晶锭切割而来
CT:contact,poly与Metal的通孔
VIA:金属与金属层之间的通孔
nwell:n型阱
DNW:深n型阱
channel:P+与N+扩散区之间的区域,沟道
W、L:poly和沟道的宽度和长度
DIFF:扩散层或者扩散区域
G、S、D、B:mos管的四个端,栅极、源极、漏极、衬底
JDV:job deck view,生产之前与工作一起检查gds是否存在违反制造规则的问题
SS、FF:器件的速度corner
yield:良率
DFT:可测试性设计
ESD:静电释放
EMI:电磁干扰
EMC:电磁兼容
FIB:聚焦离子束,用来切断或者连接金属线
EMMI:微光显微镜,通过发热点,查找芯片故障的一种方法
IP:具有知识产权的代码或者电路
OTP:一次可编程存储器
MTP:多次可编程存储器
Metal OTP:一种仅利用顶层局部金属接电源或接地,来达到改变功能的方法
eFuse:电子熔断丝存储器
SRAM:静态随机存储器
DRAM:动态随机存储器
process:工艺、制程
MPW:多项目(多个公司)晶圆
NTO:首次全掩膜流片
Tapeout:把GDS交给工厂的动作或者阶段
CMOS:互补对称金属氧化物晶体管
MOS:金属氧化物晶体管,俗称管子
bi-polar transistor:三极管
BiCMOS:在CMOS工艺里制作三极管的技术和工艺
FET:场效应管
FinFET:一种3D晶体管,鳍式场效应晶体,22nm以下常见
SOI:绝缘体上硅
Silicon:硅,制作芯片的基础材料
SiO2:二氧化硅,石英玻璃
PVD:物理气相淀积
CVD:化学气相淀积
TSMC:台积电公司
SMIC:中芯国际公司
MP:产量,大规模生产
LOT:芯片生产的一个批次,通常是25片晶圆一个批次
DUV:深紫外(光刻机)
EUV:极紫外(光刻机)
喜乐芯半导体(专注模拟版图onsite服务)